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簡要描述:帶預真空室的化學氣相沉積設備PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標準的化學氣相沉積工藝。
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品牌 | 其他品牌 | 應用領域 | 環(huán)保,化工,電子 |
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帶預真空室的化學氣相沉積設備
工藝靈活性
PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標準的化學氣相沉積工藝。
預真空室
SI 500 PPD的特色是預真空室和干泵裝置,用于無油、高產(chǎn)量和潔凈的化學氣相沉積過程。
SENTECH控制軟件
強大的用戶界面友好軟件包括模擬圖形用戶界面,參數(shù)窗口,工藝處方編輯窗口,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。
SI 500 PPD代表了先進的等離子體增強化學氣相沉積設備,用于介質膜、非晶硅、碳化硅和其他材料的沉積。它基于平板電容耦合等離子體源,預真空室,溫控襯底電極,可選的低頻射頻源、全自動控制的無油真空系統(tǒng)、先進的SENTECH控制軟件,采用遠程現(xiàn)場總線技術,以及用戶友好的通用界面來操作SI 500 PPD。
SI 500 PPD等離子沉積設備,可以加工從大到200毫米直徑的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預真空室保證穩(wěn)定的工藝條件,并實現(xiàn)簡易切換的過程。
SI 500 PPD等離子增強沉積設備用于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)沉積SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通過液態(tài)或氣態(tài)前驅體,SI 500 PPD可以為TEOS, SiC和其它材料的沉積提供解決方案。SI 500 PPD特別適用于化學氣相沉積用于刻蝕掩膜,鈍化膜,波導及其他的介質膜和非晶硅。
SENTECH提供不同級別的自動化程度,從真空片盒載片到一個工藝腔室或至多六個工藝模塊端口,可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),目標是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 PPD也可用作多腔沉積系統(tǒng)中的一個工藝模塊。
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