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簡要描述:低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù),利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。
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品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,電子 |
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低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備(LPCVD)是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù),利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應(yīng),還可以提高整個(gè)基板的均勻性。除此之外,該過程取決於溫度控制,過程溫度越高,維持性越好。與大氣壓下的傳統(tǒng)CVD製程相比,LPCVD的優(yōu)勢在於:每批製程可裝載更多的晶圓(每批100-200個(gè)晶圓)、晶圓內(nèi)的厚度均勻性得到了改善(<±3%),並且降低生產(chǎn)成本。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺溫度),並提供高品質(zhì)的薄膜。
低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備參數(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
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配置和優(yōu)點(diǎn) | 選件 |
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