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帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備 PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)氣相沉積工藝。
等離子沉積設(shè)備 低刻蝕速率,高擊穿電壓,低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度,使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。