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簡要描述：原子層沉積設(shè)備為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng)，將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進行反應(yīng)。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2024-07-10訪 問 量：1023產(chǎn)品分類
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| 品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,電子 |
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原子層沉積設(shè)備（ALD）為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng)，將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進行反應(yīng)。通過ALD循環(huán)的次數(shù)，緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統(tǒng)為150~350oC)。
SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1％。
厚度均勻度（WIW）：
原子層沉積設(shè)備單個12英寸晶圓用於沉積目標(biāo)厚度為5nm的Al2O3和HfO2膜。使用橢偏儀進行27點厚度測量並輸入標(biāo)準(zhǔn)偏差公式。在±0.5nm範(fàn)圍內(nèi)和均勻度的5％以內(nèi)。 
介電常數(shù)和功函數(shù)：
準(zhǔn)備三個矽晶片，並以固定的厚度沉積Al2O3/ TiN和化學(xué)氧化物/ HfO2/ TiN。測量三個樣品的CV圖以計算介電常數(shù)和洩漏電流：介電常數(shù)應(yīng)為7?9（Al2O3）和18?22（HfO2），並且洩漏電流小於1 nA（@ 1V）。
| 原子層沉積設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
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| 配置和優(yōu)點 | 選件 |
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