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原子層沉積設(shè)備為一種氣相化學沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng),將使用兩種化學物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進行反應(yīng)。
原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學過程的最重要技術(shù)之一;它可以被視為一種特殊類型的化學氣相沉積(CVD)。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學物質(zhì)(稱為前驅(qū)物,也稱為”反應(yīng)物“)。
批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備為一種使用化學氣相沉積技術(shù),可為沉積反應(yīng)提供能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比,可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質(zhì)量。
FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積:隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加,其制造設(shè)備也變得更大,需要越來越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設(shè)備,提供非晶矽(a-Si),氧化矽(SiOx),氮氧化矽(SiON),氮化矽(SiNx)和多層膜沉積。
感應(yīng)耦合電漿化學氣相沉積設(shè)備是一種使用ICP的化學氣相沉積技術(shù),可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與PECVD方法相比,ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質(zhì)量。因使用ICP做為電漿源,有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應(yīng)速率較高等優(yōu)點。
低真空化學氣相沉積設(shè)備是一種化學氣相沉積技術(shù),利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。
電漿輔助式化學氣相沉積設(shè)備是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術(shù),可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比,PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質(zhì)量。